Алмазные пленки

06.05.2011 в Технологии и инновации

Ввиду большого интереса к новым газофазным методам выращивания алмаза (и шире – алмазных материалов) поток публикаций на эту тему в мире постоянно возрастает. Издается специализированный международный журнал Diamond and Related Materials (США), регулярно проводятся международные конференции по науке и технологии CVD-алмаза, наиболее крупными из которых являются European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, and Nitrides, и New Diamond and Nano Carbons.

Выбор и обоснование технологической операции осаждения поликристаллических алмазных, наноалмазных и алмазоподобных пленок.

CVD метод позволяет получать поликристаллические плёнки алмаза диаметром от 1 мм до 50 см, и толщиной от долей мкм до 3 мм и более. В отличие от роста при высоких давлениях и температурах, химическое осаждение из газовой фазы происходит в метастабильных условиях: при пониженных давлениях до 30÷400 мм рт ст (4÷54 кПа) и температурах подложки 870÷1370 К. При этом типичные линейные скорости роста лежат в диапазоне 1÷10 мкм/ч и лишь для одного, мало распространённого метода (осаждение из пламени), достигают 100 мкм/ч.

Ниже дан краткий обзор современных методов синтеза алмаза из газовой фазы с указанием особенности технологий, их преимуществ и недостатков.

Метод горячей нити

Простейшим способом активации газовой фазы, состоящей из смеси водорода  с углеродсодержащим газом (для  СН₄ – 0,5 ÷ 2 об. %), является использование нагретой до температуры ~ 2000⁰C проволоки из тугоплавкого материала, размещаемой  около подложки, на которую наращивается алмазная плёнка и которая поддерживается при температуре  700-1000^оC. Давление газовой фазы обычно составляет 20-60 Торр, а расстояние между проволокой-активатором и подложкой 4-10 мм. В качестве тугоплавких материалов обычно применяют W, Ta, Re. Следует иметь в виду, что при нагревании в углеводородной среде металл карбидируется (кроме Re) и охрупчивается. При карбидировании W температура плавления активатора существенно снижается, а у Ta – повышается. В ИФХ АН СССР метод был впервые использован в 1972 году, но получил широкую известность после публикации работы Мацумото [16].
Большим достоинством является простота и возможность масштабирования. В настоящее время методом горячей нити получают покрытия на подложках площадью до 0,3 м²[17]. Скорость плёнок обычно составляет около 1 мкм/час и может быть увеличена за счёт уменьшения расстояния между активатором и подложкой, повышением температуры активатора, а также при подаче на подложку электрического смещения или дополнительной активацией газовой фазы электрическим разрядом (постоянного тока или радиочастоты), УФ облучением.

Недостатком метода является принципиальная невозможность предотвратить вхождение примеси металла-активатора в плёнку, что важно при получении очень чистого алмаза, а также невозможность введения  в газовую смесь добавок, активно взаимодействующих с материалом активатора.

Активация газа в пламени горелки

Химический способ активации реализуется также в методе выращивания в пламени горелки. Этот метод, впервые описанный в 1990 году [18], может быть реализован в разнообразных вариантах [19]. В простейшем случае процесс ведется на атмосфере, и нет необходимости в реакторе. Использование кислородно-ацетиленовой горелки позволяет получать высокие концентрации радикалов и скорость осаждения алмаза может достигать 100 мкм/час. Очевидный недостаток простейшей схемы – неоднородность условий в зоне осаждения и малая её площадь. Она может быть увеличена за счёт изменения конфигурации пламени, например, создания плоского пламени (при пониженных давлениях) [20] и использования системы горелок. При наличии защитной атмосферы можно использовать сканирование и получать покрытия на большой площади. Так, группа японских учёных из научно-исследовательской лаборатории корпорации «Ниппон» в г. Чиба во главе с Окадой [21] получила алмазные кристаллы размером до 20-30 мкм на подложках из твёрдого сплава на площади 35´29,5 см² при температуре 950 –1100^оС за 1 час наращивания. Использование горелок в реакторах при пониженном давлении позволяет увеличить площадь осаждения и улучшить контроль над ходом процесса. Однако за счёт увеличения площади покрытия снижается скорость осаждения без заметного выигрыша в качестве, поэтому с 2002 года публикации об осаждении алмазных плёнок из пламени горелки на больших площадях практически исчезают со страниц научных журналов.

Разряд постоянного тока

Осаждение в плазме разряда постоянного тока [22, 23] позволяет получать алмазные плёнки со скоростями в десятки микрометров в час. Помимо высоких скоростей роста достоинствами метода являются простота процесса, низкое потребление газа, однако методу присуще загрязнение плёнки продуктами распыления электродов.

В варианте установки для роста алмазных плёнок с использованием дугового разряда, созданном в ИОФРАН, [24], разряд в смеси CH₄/H₂ зажигается между катодом (стержень из стеклоуглерода или TaC) и самой подложкой, являющейся анодом. Вследствие этого, осаждение возможно на металлические или полупроводниковые (в основном, кремниевые) подложки.. В типичных условиях (давление 100 Торр, температура 800^оС, расход газа 5-6 л/час, величина тока 1,5-2,5 А) достигаются скорости 10 мкм/час на подложках площадью 1 см². Даже при высоких концентрациях метана в смеси получаемые плёнки остаются поликристаллическими.

Добавки благородных газов способствуют более высокой активации реагентов. В тройных реакционных смесях CH₄-H₂-Ar удается синтезировать нанокристаллические пленки в широком диапазоне концентраций метана, сохраняя алмазную структуру даже в «безводородных» смесях CH₄—Ar. Такие пленки характеризуются низкой шероховатостью (R_a=7-15 нм при толщине до 2 мкм) и высокой твердостью (85 ГПа).

Применение многокатодной системы позволило увеличить диаметр подложки до 100 мм, избегая при этом шнурования разряда [25]. При мощности на каждом из семи катодов 2,4 кВт и скорости осаждения 10 мкм/час получены алмазные пластины с хорошей однородностью по толщине (800-900 мкм). Дальнейшее масштабирование размеров плазмы и пластин может быть достигнуто увеличением числа катодов.

Электродуговой плазмотрон

В электродуговом плазмотроне газ, нагреваемый в разряде постоянного тока в цилиндрическом канале, истекает через сопло, образуя высокоскоростную струю с температурой в ядре потока до 40000ºС, что намного выше, чем в методах активации газа с помощью СВЧ плазмы или горячей нити. Вследствие высокой степени разложения газа-реагента, высокой концентрации атомарного водорода скорости осаждения алмаза достигают больших величин. Впервые дуговой плазмотрон был использован для синтеза алмаза Курихарой в 1988 г. [26]. Были достигнуты скорость роста более 900 мкм/час и коэффициент конверсии углерода из метана в алмаз около 8%, однако, лишь на подложках небольшой площади (несколько кв. мм) [27]. Тем не менее, среди всех прочих методов синтеза именно в дуговом плазмотроне впервые были получены толстые алмазные пластины. В качестве плазмообразующего газа используется аргон, к которому подмешивается метан и водород. Вместо метана можно использовать пары спирта [28]. Увеличение площади осаждения и снижение себестоимости процесса синтеза лежит на пути повышения мощности установок. В Пекинском научно-технический университете для роста алмазных пластин используется плазмотрон мощностью 100 кВт [29]. Плазмотрон мощностью 500 кВт создан в Питтсбурге специалистами научно-технологического центра корпорации «Вестингхаус электрик», США [30]. В обоих реакторах предусмотрено, что рабочий газ не выбрасывается из камеры, а направляется повторно в неё для максимально полного использования реагентов. В 90-х годах фирма «Нортон» (США) на основе дуговых плазмотронов освоила промышленное производство алмазных дисков диаметром до 175 мм [31].

В плазмогенераторе в стандартной конфигурации с межэлектродными вставками [32] при мощности, вкладываемой в разряд 3-8 кВт, давлении 50-100 Торр и расходе газа 30 л/мин получены скорости осаждения до 25 мкм/час на площади до 10 см². Интересный метод увеличения площади осаждения при относительно небольшой мощности, основанный на идее внешнего расширения плазменной струи после выхода из сопла плазмотрона посредством организации дополнительного разряда ниже по направлению (рис. 13) применен в работе [33].

Разряд поддерживался между дополнительным кольцевым электродом (анодом), сквозь который проходила плазменная струя и собственно струёй (катодом). Ниже кольца узкий высокотемпературный плазменный керн расширялся в несколько раз. Дополнительная мощность, вложенная во вторичный разряд, составляла 2,5 кВт. При линейной скорости осаждения 40 мкм/час на площади 12 см² удельная (на единицу мощности) осаждения достигала 16 мг/час·кВт, что сравнимо с эффективностью для 100 кВт системы.

СВЧ плазма

Одним из самых распространенных методов синтеза алмаза является осаждение в микроволновой (СВЧ) плазме или MWCVD [34,35]. Этому способствовали доступность стандартных СВЧ компонентов на частоте 2,45 ГГц для строительства такого типа реакторов, и большой опыт, накопленный по применению СВЧ плазмы для обработки поверхности. СВЧ плазма «стерильна» в том смысле, что отсутствуют какие-либо распыляемые электроды, поэтому содержание примесей от компонентов реактора в алмазе минимально. Это позволяет получать алмаз оптического и даже электронного качества [36]. Впервые алмазные плёнки из СВЧ плазмы были синтезированы в 1983 г. исследовательской группой из японского института Неорганических материалов [37]. В разработанном ими простом реакторе при мощности <1,5 кВт скорость осаждения составляла около 0.5 мкм/час.

Семейство усовершенствованных ректоров было разработано в дальнейшем фирмой «ASTeX» («Астэкс», США) [38]. Системы мощностью 5 и 8 кВт, выпускаемые серийно, позволяют проводить процесс роста непрерывно в течение сотен часов, что необходимо для получения толстых (порядка 1 мм) алмазных пластин. Диаметр плазмы равен примерно половине длины волны (6,1 см для частоты 2,45 ГГц), что является фундаментальным ограничением. Увеличить площадь осаждения можно переходом на более низкие частоты. СВЧ реактор мощностью до 100 кВт, работающий на частоте 915 МГц, обеспечивает скорости роста до 1 г/час на подложке диаметром до 30 см.

Оригинальная камера-резонатор в виде эллипсоида вращения была разработана в группе П. Койдла (Фраунгоферовский институт прикладной физики твёрдого тела, Германия). Излучающая антенна размещается в одном из фокусов эллипсоида, а подложка – в другом, где фокусируется СВЧ излучение [39]. В настоящее время реакторы такого типа выпускаются фирмой «Aixtron AG» [www.aixtron.com] в двух вариантах: мощностью 6 кВт (2,45 ГГц) и 60 кВт (915 МГц), они позволяют получать материал оптического качества.

Лазерный плазмотрон

Возможно одним из самых интересных подходов к осаждению алмаза, предложенных в последнее время, является использование для этой цели лазерного плазмотрона [40]. Нагрев газовой струи в таком плазмотроне осуществляется плазмой непрерывного оптического разряда, поддерживаемого непрерывным лазерным излучением. В оптического разряде достигаются более высокие температуры (около 20000^оС), чем в случае высокочастотных и СВЧ-разрядов, что позволяет расcчитывать и на более высокие скорости осаждения. При использовании плазмы, созданной фокусировкой луча СО₂ лазера мощностью 2,5 кВт (длина волны 10,6 мкм), достигнуты скорости осаждения 40-60 мкм/час на подложках площадью порядка 1 см². Увеличение скорости и площади осаждения можно ожидать при более высокой лазерной мощности, но пока этот метод развивается лишь на лабораторном уровне.

Нанокристаллические алмазные плёнки

Со времени появления первых работ (1994 г.) учёных из Аргонской национальной лаборатории (АНЛ, США) [41] и Института общей физики РАН [42], которые обнаружили, что микроструктурой алмазных пленок и размером кристаллитов в диапазоне от микро- до нанометров можно эффективно управлять путем изменения условий плазмохимического осаждения (в частности, посредством выбора соответствующей газовой среды), интерес исследователей ведущих лабораторий в США, Европе и Японии к нанокристаллическим алмазным пленкам непрерывно растет.  Появляются новые данные об уникальных свойствах этих пленок [43].

Термин «ультрананокристаллический алмаз» (УНКА), обозначающий структурно-чистые алмазные плёнки со средним размером кристаллитов 5 нм (которые синтезируются из обогащенных аргоном газовых сред), был введен учеными из АНЛ, чтобы отличать УНКА пленки от нанокристаллических пленок субмикронной толщины с размером зерна 50-100 нм, получаемых из CH₄-H₂ плазмы [44]. При нанометровых размерах зерна (3-15 нм), УНКА плёнки обладают исключительно малой величиной поверхностной шероховатости (20-40 нм), что при высокой микротвёрдости и износостойкости, химической инертности значительно расширяет область их применений в микроэлектромеханических системах [45], электронике [46] по сравнению с микрокристаллическими плёнками.

Из-за малого размера зерна роль и влияние межзёренных границ на макроскопические свойства УНКА материала становится определяющей. Свойства УНКА пленок сильно зависят от наноструктуры межзеренных границ, определяемой внедрением в них примесных атомов, таких как водород, азот, кремний в процессе синтеза при вводе соответствующих газов в CH₄/Ar плазму [47]. Данная проблема «легирования УНКА» является одной из важнейших в газофазном синтезе ультрананокристаллического алмаза.

Процесс синтеза УНКА проводят в СВЧ плазме в смеси  Ar/H₂/CH₄, с пониженной (вплоть до нуля) концентрацией Н₂, причем аргон является основным компонентом в смеси [48]. Предполагается [49], что основным радикалом, «строительным кирпичиком» в механизме роста УНКА, является димер С₂ в отличие от метилового радикала СН₃ при синтезе полиалмаза. Процесс наращивания УНКА сопровождается интенсивной вторичной нуклеацией, что не позволяет разрастаться кристаллитам алмаза, сохраняя их нанометровые размеры даже при значительных (единицы и десятки мкм) толщинах пленки.

Обнаружено [50], легированные азотом нанокристаллические алмазные пленки обладают проводимостью n-типа, причем возможно получение пленок с очень низким удельным сопротивление (<0.01 Ом*см). Таким образом, введение азота является альтернативой традиционному способу обеспечения проводимости алмаза за счет легирования бором. Проводящие алмазные пленки представляют большой интерес для электрохимии, где на их основе разрабатываются очень стабильных электродов для электрохимических сенсоров, очистки воды, и пр. Говоря о применениях азотированных УНКА-пленок в электронике отметим, что они продемонстрировали весьма низкие, 2-5 В/мкм, поля включения полевой электронной эмиссии [51], а диоды со структурой «УНКА на алмазе р-типа» наряду с высоким (10⁸) коэффициентом выпрямления показали рекордную температурную стабильность, вплоть до 1060ºС [52].

Отметим, что несмотря на интерес к получению УНКА, в литературе имеется гораздо меньше сообщений, раскрывающих детали техники осаждения таких пленок в СВЧ разряде, по сравнению с работами в области синтеза поликристаллических пленок.

Выводы по методам получения алмазных пленок

Активно развиваемые новые газофазные технологии поучения CVD-алмаза выгодно отличаются от традиционных методов синтеза при высоких давлениях в силу: (а) беспрецедентно больших размеров (б) высокой воспроизводимости физических параметров, (в) возможности выращивания изделий заданной формы, (г) возможности нанесения покрытий на поверхности различных материалов. CVD алмаз не содержит ни пор, ни связующего материала, и потому проявляет свойства приближающиеся к свойствам монокристаллов алмаза.

Наиболее подходящим методом для получения особо чистого алмаза является осаждение из СВЧ-плазмы. С другой стороны, в СВЧ плазме, но с использованием более сложных газовых смесей типа метан-водород-аргон (а также азот для легирования) возможно получении и нанокристаллических алмазных пленок со специальными свойствами (низкая шероховатость, высокая электропроводность). Таким образом, перспективным является разработка технологического процесса изготовления и поли- и нанокристаллических пленок на едином оборудовании на базе СВЧ реактора.

Таким образом технологическое оборудование УОАП будет формироваться модифицированным СВЧ реактором, разработанным ООО «Оптосистемы»

1. Matsumoto S., Sato Y., Tsutsumi M., Setaka N.  Growth of Diamond Particles from Methane–Hydrogen Gas // J. Mater. Sci. 1982. V. 17. P. 3106-3112.
2. Fryda M., Herrmann D., Schafer L., Klages C.-P. Properties and Applications of Diamond Electrodes // Proc. ADC/FCT’99. 5^th Int. Conf. on the Applic. of Diamond Films and Relat. Mater. 1^st Int. Conf. on Frontier Carbon Technol. 1999. P. 165-170
3. Matsui Y., Yabe H., Hirose Y. The Growth Mechanism of Diamond Crystals in Acetylene Flames // Jap. J. Appl. Phys. 1990. V. 29. № 8. Р.1552-1560
4. Ravi K.V. Combustion Synthesis: Is It Most Flexible of the Diamond Synthesis Process? // Diamond Relat. Mater. 1995. V. 4. P. 243-249
5. Okada M., Nishigavara Y., Kubomura K. A Process for Continuous Manufacturing of Diamond in Atmosphere // Diamond Relat. Mater. 2002. V. 11. P. 1479-1484
6. Lowe A.G., Hartlieb A.T., Brand J., Atakan B., Kohse-Honighaus K. Diamond Deposition in Low-Pressure Acetylene Flames: In Situ Temperature and Species Concentration Measurements by Laser Diagnostics and Molecular Beam Mass Spectrometry // Combust. Flame. 1999. V. 118. P. 37-50.
7. Попов С.В., Спицын Б.В., Алексенко А.Е. Получение поликристаллических алмазных плёнок миллиметровой толщины // Труды 1-го Международного семинара по алмазным пленкам, Улан-Удэ, 1991, Техника средств связи, Москва, Серия Технология Производства и Оборудование. Вып. 4, 1991, С. 51-54;
8. Sciortino S., Lagomarsino S., Pieralli F., Borchi E., Galvanetto G. Polycrystalline Diamond Synthesis by Means of High Power Pulsed Glow Discharge CVD // Diamond Relat. Mater. 2002. V. 11. P 573-578
9. Chapliev N.I., Konov V.I., Pimenov S.M., Prokhorov A.M., Smolin A.A. Laser-assisted selective area deposition of diamond films // Applications of Diamond Films and Related Materials. Elsevier Science Publishers. Amsterdam. 1991. P. 417-421.
10. Eun K.Y., Lee J.K., Lee W.-S., Baik Y.-J. Free-Standing Diamond Wafers Deposited by Single-and-Multi-Cathode Direct Current Plasma Assisted CVD // Proc. Appl. Diamond Conf./Frontier Carbon Technol. Tsukuba. Japan. 1999. P. 175-178
11. Kurihara K., Sasaki K., Kawarada M., Koshino N. High Rate Synthesis of Diamond by DC Plasma Jet Chemical Vapor Deposition // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. P. 437-438.
12. Ohtake N., Yoshikawa M. Diamond Film Preparation by Arc Discharge Plasma Jet Chemical Vapor Deposition in the Methane Atmosphere // J. Electrochem. Soc. 1990. V. 137. P. 717-722.
13. Aksenov I.I., Vasil’ev V.V., Strel’nitskij V.E., Shulaev V.M., Zalesskij D. Yu. Arc Discharge Plasma Touch for Diamond Coating Deposition // Diamond Relat. Mater. 1994. V. 3. P. 525-527
14. Lu F.X., Zhong G.F., Sun J.G., Fu Y.L., Tang W.Z., Wang J.J., Li G.H., Zang J.M., Pan C.H., Tang C.X., Lo T.L., Zhang Y.G. A new type of DC arc plasma torch for low cost large area diamond deposition // Diamond Relat. Mater. 1998. V. 7., No. 6, P. 737.
15. Partlow W.D., Schreurs J., Young R.M., Martorell I., Dighe S.V., Swartzbeck G., Burton J. // Applications of Diamond Films and Related Materials: Third International Conference. NIST Spec. Publ. 1995. 885. P. 519-524
16. Gray K.J., Windishmann H. Free-Standing CVD Diamond Wafers for Thermal Management by DC Arc Jet Technology // Diamond Relat. Mater. 1999. V. 8. P. 903-908
17. Переверзев В.Г., Ральченко В.Г., Смолин А.А., Власов И.И., Образцова Е.Д., Конов В.И., Метев С., Оцеговски М., Зепольд Г. Осаждение алмазных покрытий из газовой фазы методом электродугового плазмотрона постоянного тока // Физика и химия обработки материалов. 1999. № 2. C. 28-36.
18. Pereverzev V.G., Pozharov A.S., Konov V.I., Ralchenko V.G., Brecht H., Metev S., Sepold G. Improved DC Arc-Jet Diamond Deposition with a Secondary Downstream Discharge // Diamond Relat. Mater. 2000. V. 9. P. 373-377.
19. Sevillano E. Microwave-Plasma Deposition of Diamond // Low-Pressure Synthetic Diamond. Springer Publishers. Berlin. 1998. P .11-39.,
20. P.K. Bachmann. Microwave-Plasma Chemical Vapor Deposition of Diamond // Handbook of Industrial Diamonds and Diamond Films. Marcel Dekker. New York. 1997. P. 821-850.
21. Isberg J., Hammetrsberg J., Johansson E., Wilkstrom T., Twitchen D.J., Whitehead A.J., Coe S.E., Scarsbrook G.A. High Carrier Mobility in Single-Crystal Plasma-Deposited Diamond // Science. 2002. V. 297. P. 1670-1672.
22. Kamo M., Sato Y., Matsumoto S., Setaka N. Diamond synthesis from gas phase in microwave plasma // J. Crystal Growth. 1983. V. 62. P. 642.
23. Sevillano E. Microwave-Plasma Deposition of Diamond // Low-Pressure Synthetic Diamond. Springer Publishers. Berlin. 1998. P. 11-39.
24. Funer M., Wild C., Koidl P. Novel microwave plasma reactor for diamond synthesis // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. P. 1149-1151.
25. Bolshakov A.P., Konov V.I., Prokhorov A.M., Uglov S.A., Dausinger F. Laser Plasma CVD Diamond Reactor // Diamond Relat. Mater. 2001. V. 10. P. 1559-1564.
26. D. M. Gruen, S. Liu, A. R. Krauss, J. Luo, X. Pan. Fullerenes as Precursors for Diamond Film Growth Without Hydrogen or Oxygen Additions // Applied Physics Letters. 1994. V. 64. P. 1502-1504.
27. V.I. Konov, A.A. Smolin, V.G. Ralchenko, S.M. Pimenov, E.D. Obraztsova, E.N. Loubnin, G. Sepold, S.M. Metev. D.c. arc plasma deposition of smooth nanocrystalline diamond films // Diamond and Related Materials. V. 4. 1995. No 8. P. 1073-1078.
28. Dieter M.Gruen, Olga A. Shenderova and Alexander Ya. Vul’. Electronic Properties and Applications of Ultrananocrystalline Diamond, in Synthesis, Properties and Applications of Unltrananocrystalline Diamond, NATO Science Series. V. 192. 2005. P. 373-382.
29. S-P. Hong, H. Yoshikawa, K. Wazumi, Y. Koga. Synthesis and tribological characteristics of nanocrystalline diamond film using CH₄/H₂ microwave plasmas // Diamond and Related Materials. V. 11. 2002. No 3-6. P. 877-881.
30. A.R. Krauss, O. Auciello, D.M. Gruen, et al. Ultrananocrystalline diamond thin films for MEMS and moving mechanical assembly devices // Diamond and Related Materials. V. 10. 2001. P. 1952-1961.
31. R. Arenal, P. Bruno, D.J. Miller, M. Bleuel, J. Lal, D.M. Gruen. Diamond nanowires and the insulator-metal transition in ultrananocrystalline diamond films. // Physical Review B. V. 75. 2007. P. 195431-1 – 195431-7.
32. P. Zapol, M. Sternberg, L.A. Curtiss, T. Frauenheim, D.M. Gruen. Tight-binding molecular-dynamics simulation of impurities in ultrananocrystalline diamond grain boundaries. // Physical Review B. V. 65. 2001. P. 045403.
33. F. Benedic, F. Mohasseb, P. Bruno, F. Silva, G. Lombardi, K. Hassouni, A. Gicquel, Synthesis of nanocrystalline diamond films in Ar/H₂/CH₄ microwave discharges, in D.M. Gruen et al (eds), Synthesis, Properties and Applications of Ultrananocrystalline Diamond, Springer, 2005, pp. 79-92.
34. D.M. Gruen, Nanocrystalline diamond films, Annu. Rev. Mater. Sci. 29 (1999) 211-259.
35. S. Bhattacharyya, O. Auciello, J. Birrell, J.A. Carlisle, L.A. Curtiss, A.N. Goyette, D.M. Gruen, A.R. Krauss, J. Schlueter, A. Sumant, P. Zapol, Synthesis and characterization of highly-conducting nitrogen-doped ultrananocrystalline diamond films,  Appl. Phys. Lett. 79 (2001) 1441-1443.
36. T.D. Corrigan, D.M. Gruen, A.R. Krauss, P. Zapol, R.P.Y. Chang, The effect of nitrogen addition to Ar/CH₄ plasmas on the growth, morphology and field emission of ultrananocrystalline diamond, Diamond Relat. Mater., 11 (2002) 43-48.
37. T. Zimmerman, M. Kubovich, A. Denisenko, K. Janischowsky, O.A. Williams, D.M. Gruen, E. Kohn, Ultra-nano-crystalline/single crystal diamond heterostructure diode, Diamond Relat. Mater. 14 (2005) 416-420

Метки

Алмазная пленка, Алмазы, Плазма, Плазмотрон, Получение, Технологии